東芝電界効果トランジスタ  シリコンNチャネルMOS形(L2-兀-MOSV)


リレー駆動、DC-DCコンバータ用
モータドライブ用


4V駆動です。
オン抵抗が低い。:RDS(ON)=0.022Ω(標準)
順方向伝達アドミタンスが高い。
          :|Yfs|=27S(標準)
漏れ電流が低い。 
              :IDSS=100μA(最大)(VDS=60V)
取扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。
       :Vth=0.8〜2.0V(VDS=10V、ID=1mA)


最大定格 (Ta=25℃)
項  目
 記 号 
 定 格 
 単位 
ドレイン・ソース間電圧
VDSS
60
ドレイン・ゲート間電圧
(RGS=20kΩ)
VDGR
60
ゲート・ソース間電圧
VGSS
±20
ドレイン電
DC(注1)
ID
45
A
パルス(注1)
IDP
180
A
許  容  損  失
PD
100
W
アバランシェエネルギー(単発)
(注2)
EAS
246
mJ
アバランシェ電流
lAR
45
A
アバランシェエネルギー(連続)
(注3)
EAR
10
mJ
チャネル温度
Tch
150
保 存 温 度
Tstg
-55〜150
 質量:4.6(標準)
熱抵抗特性
項  目
 記 号 
最大
 単位 
チャネル・ケース間熱抵抗
Rth(ch-c)
1.25
℃/W
チェネル ・ 外気間熱抵抗
Rth(ch-a)
50
℃/W

(注 1): チャネル温度が150℃を超えることのない放熱条件でご使用ください。
(注 2): アバランシェエネルギー(単発)印加条件
       VDD=25V、 Tch=25℃(初期)、L=165μH、RG=25Ω、IAR=45A
(注 3): 連続印加の際、パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。

 この製品はMOS構造です。取扱いの際には、静電気にご注意ください。




東芝電界効果トランジスタ  シリコンPチャネルMOS形(L2-兀-MOSV)


リレー駆動、DC-DCコンバータ用
モータドライブ用


4V駆動です。
オン抵抗が低い。  :RDS(ON)=29mΩ(標準)
順方向伝達アドミタンスが高い。
            :|Yfs|=23S(標準)
漏れ電流が低い。 
        :IDSS=-100μA(最大)(VDS=-60V)
取扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。
  :Vth=-0.8〜-2.0V(VDS=-10V、ID=-1mA)


最大定格 (Ta=25℃)
項  目
記 号
定 格
単 
ドレイン・ソース間電圧
VDSS
-60
ドレイン・ゲート間電圧
(RGS=20kΩ)
VDGR
-60
ゲート・ソース間電圧
VGSS
±20
ドレイン電流
DC(注1)
ID
-30
A
パルス(注1)
IDP
-120
A
許  容  損  失
(Tc=25℃)
PD
45
W
アバランシェエネルギー(単発)
(注2)
EAS
936
mJ
アバランシェ電流
lAR
-30
A
アバランシェエネルギー(連続)
(注3)
EAR
4.5
mJ
チャネル温度
Tch
150
保 存 温 度
Tstg
-55〜
150
 質量:1.9(標準)
熱抵抗特性
項  目
 記 号 
最大
 単位 
チャネル・ケース間熱抵抗
Rth(ch-c)
2.78
℃/W
チェネル ・ 外気間熱抵抗
Rth(ch-a)
62.5
℃/W

(注 1): チャネル温度が150℃を超えることのない放熱条件でご使用ください。
(注 2): アバランシェエネルギー(単発)印加条件
       VDD=-50V、 Tch=25℃(初期)、L=747μH、RG=25Ω、IAR=-30A
(注 3): 連続印加の際、パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。

 この製品はMOS構造です。取扱いの際には、静電気にご注意ください。




東芝電界効果トランジスタ  シリコンNチャネルMOS形(L2-兀-MOSV)


リレー駆動、DC-DCコンバータ用
モータドライブ用


4V駆動です。
オン抵抗が低い。:RDS(ON)=36mΩ(標準)
順方向伝達アドミタンスが高い。
           :|Yfs|=16S(標準)
漏れ電流が低い。 
     :IDSS=100μA(最大)(VDS=-60V)
取扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。
       :Vth=0.8〜2.0V(VDS=10V、ID=1mA)


最大定格 (Ta=25℃)
項  目
記 号
定 格
単位
ドレイン・ソース間電圧
VDSS
60
ドレイン・ゲート間電圧
(RGS=20kΩ)
VDGR
60
ゲート・ソース間電圧
VGSS
±20
ドレイン電流
DC(注1)
ID
25
A
パルス(注1)
IDP
100
A
許  容  損  失
(Tc=25℃)
PD
35
W
アバランシェエネルギー(単発)
(注2)
EAS
156
mJ
アバランシェ電流
lAR
25
A
アバランシェエネルギー(連続)
(注3)
EAR
3.5
mJ
チャネル温度
Tch
150
保 存 温 度
Tstg
-55〜
150
 質量:1.9(標準)
熱抵抗特性
項  目
 記 号 
最大
 単位 
チャネル・ケース間熱抵抗
Rth(ch-c)
3.57
℃/W
チェネル ・ 外気間熱抵抗
Rth(ch-a)
62.5
℃/W

(注 1): チャネル温度が150℃を超えることのない放熱条件でご使用ください。
(注 2): アバランシェエネルギー(単発)印加条件
       VDD=25V、 Tch=25℃(初期)、L=339μH、RG=25Ω、IAR=25A
(注 3): 連続印加の際、パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。

 この製品はMOS構造です。取扱いの際には、静電気にご注意ください。




東芝電界効果トランジスタ  シリコンPチャネルMOS形(L2-兀-MOSV)


リレー駆動、DC-DCコンバータ用
モータドライブ用


4V駆動です。
オン抵抗が低い。 :RDS(ON)=33mΩ(標準)
順方向伝達アドミタンスが高い。
            :|Yfs|=20S(標準)
漏れ電流が低い。
          :IDSS=-100μA(最大)(VDS=-60V)
取扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。
   :Vth=-0.8〜-2.0V(VDS=-10V、ID=-1mA)


最大定格 (Ta=25℃)
項  目
記 号
定 格
単 
ドレイン・ソース間電圧
VDSS
-60
ドレイン・ゲート間電圧
(RGS=20kΩ)
VDGR
-60
ゲート・ソース間電圧
VGSS
±20
ドレイン電流
DC(注1)
ID
-20
A
パルス(注1)
IDP
-80
A
許  容  損  失
(Tc=25℃)
PD
45
W
アバランシェエネルギー(単発)
(注2)
EAS
800
mJ
アバランシェ電流
lAR
-20
A
アバランシェエネルギー(連続)
(注3)
EAR
3.5
mJ
チャネル温度
Tch
150
保 存 温 度
Tstg
-55〜
150
 質量:1.9(標準)
熱抵抗特性
項  目
 記 号 
最大
 単位 
チャネル・ケース間熱抵抗
Rth(ch-c)
2.77
℃/W
チェネル ・ 外気間熱抵抗
Rth(ch-a)
62.5
℃/W

(注 1): チャネル温度が150℃を超えることのない放熱条件でご使用ください。
(注 2): アバランシェエネルギー(単発)印加条件
       VDD=-50V、 Tch=25℃(初期)、L=1.44mH、RG=25Ω、IAR=-20A
(注 3): 連続印加の際、パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。

 この製品はMOS構造です。取扱いの際には、静電気にご注意ください。





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