東芝トランジスタ  シリコンPNPエピタキシャル形(PCT 方式)


低周波電力増幅用


直流電流増幅率が高い。:hFE=100〜320
B級プッシュプルで1Wの出力が得られます。
2SC2120とコンプリメンタリになります。




最大定格 (Ta=25℃)
項  目
 記 号 
 定 格 
 単位 
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
-35
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO
-30
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
-5
コ レ ク タ 電 流
IC
-800
mA
ベ ー ス 電 流
IB
-160
mA
コ レ ク タ 損 失
PC
600
mW
接 合 温 度
Tj
150
保 存 温 度
Tstg
-55〜150
電気的特性 (Ta=25℃)
項  目
 記 号 
測定条件
最小
標準
最大
 単位 
コ レ ク タ し ゃ 断 電 流
ICBO
VCB=-35V,IE=0
-0.1
μA
エ ミ ッ タ し ゃ 断 電 流
IEBO
VEB=-5V,IC=0
-0.1
μA
コレクタ・エミッタ間降伏電圧
V(BR)CEO
IC=-10mA,IB=0
-30
直 流 電 流 増 幅 率
hFE(1)(注)
VCE=-1V,IC=-100mA
100
320
hFE(2)   
VCE=-1V,IC=-700mA
35
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
VCE(Sat)
IC=-500mA,IB=-20mA
-0.7
ベ ー ス ・ エ ミ ッ タ 間電圧
VBE
VCE=-1V,IC=-10mA
-0.5
-0.8
ト ラ ン ジ シ ョ ン 周 波 数
fT
VCE=-5V,IC=-10mA
120
MHz
コ レ ク タ 出 力 容 量
Cob
VCB=-10V,IE=0,f=1MHz
19
pF
注: hFE(1) 分類   O:100〜200, Y:160〜320




東芝トランジスタ  シリコンNPN エピタキシャル形(PCT 方式)


低周波電力増幅用



直流電流増幅率が高い。:hFE(1)=100〜320
B型プッシュプルで1Wの出力が得られます。
2SA950とコンプリメンタリになります。




最大定格 (Ta=25℃)
項  目
 記 号 
 定 格 
 単位 
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
35
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO
30
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
5
コ レ ク タ 電 流
IC
800
mA
ベ ー ス 電 流
IB
160
mA
コ レ ク タ 損 失
PC
600
mW
接 合 温 度
Tj
150
保 存 温 度
Tstg
-55〜150
電気的特性 (Ta=25℃)
項  目
 記 号 
測定条件
最小
標準
最大
 単位 
コ レ ク タ し ゃ 断 電 流
ICBO
VCB=35V,IE=0
0.1
μA
エ ミ ッ タ し ゃ 断 電 流
IEBO
VEB=5V,IC=0
0.1
μA
コレクタ・エミッタ間降伏電圧
V(BR)CEO
IC=10mA,IB=0
30
直 流 電 流 増 幅 率
hFE(1)(注)
VCE=1V,IC=100mA
100
320
hFE(2)   
VCE=1V,IC=700mA
35
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
VCE(Sat)
IC=500mA,IB=20mA
0.5
ベ ー ス ・ エ ミ ッ タ 間電圧
VBE
VCE=1V,IC=10mA
0.5
0.8
ト ラ ン ジ シ ョ ン 周 波 数
fT
VCE=5V,IC=10mA
120
MHz
コ レ ク タ 出 力 容 量
Cob
VCB=10V,IE=0,f=1MHz
13
pF
注: hFE(1) 分類   O:100〜200, Y:160〜320




東芝トランジスタ  シリコンPNP エピタキシャル形(PCT 方式)


低周波増幅用

励振段増幅用


高耐圧でしかも電流容量が大きい。
  :VCEO=-50V(最小),IC=-150mA(最大)
電流増幅率の電流依存特性が優れています。
 :hFE(2)=80(標準)(VCE=-6V、IC=-150mA)
 :hFE(Ic=-0.1mA)/hFE(Ic=-2mA)=0.95(標準)
Po=10W用アンプのドライバーおよび一般スイッチング用
 に適しています。
低雑音です。 :NF=1dB(標準)(f=1kHz)
2SC1815とコンプリメンタリになります。


最大定格 (Ta=25℃)
項  目
 記 号 
 定 格 
 単位 
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
-50
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO
-50
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
-5
コ レ ク タ 電 流
IC
-150
mA
ベ ー ス 電 流
IB
-50
mA
コ レ ク タ 損 失
PC
400
mW
接 合 温 度
Tj
125
保 存 温 度
Tstg
-55〜125

質量: 0.21(標準)
電気的特性 (Ta=25℃)
項  目
 記 号 
測定条件
 単位 
コ レ ク タ し ゃ 断 電 流
ICBO
VCB=-50V,IE=0
-0.1
μA
エ ミ ッ タ し ゃ 断 電 流
IEBO
VEB=-5V,IC=0
-0.1
μA
直 流 電 流 増 幅 率
hFE(1)(注)
VCE=-6V,IC=-2mA
70
400
hFE(2)   
VCE=-6V,IC=-150mA
25
80
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
VCE(Sat)
IC=-100mA,IB=-10mA
-0.1
-0.3
ベース・エミッタ間飽和電圧
VBE(Sat)
IC=-100mA,IB=-10mA
-1.1
ト ラ ン ジ シ ョ ン 周 波 数
fT
VCE=-10V,IC=-1mA
80
MHz
コ レ ク タ 出 力 容 量
Cob
VCB=-10V,IE=0,f=1MHz
4
7
pF
ベ ー ス 拡 が り 抵 抗
rbb’
VCE=-10V,IE=mA,f=30MHz
30
Ω
雑  音  指  数
NF
VCE=-6V,IC=-0.1mA,
RG=10kΩ,f=1kHz
1.0
10
dB
注: hFE(1) 分類   O:70〜140, Y:120〜240, GR:200〜400




東芝トランジスタ  シリコンNPN エピタキシャル形(PCT 方式)


低周波電圧増幅用

励振段増幅用


高耐圧でしかも電流容量が大きい。
  :VCEO=50V(最小),IC=150mA(最大)
直流電流増幅率の電流依存性が優れています。
 :hFE(2)=100(標準)(VCE=6V、IC=150mA)
  :hFE(Ic=0.1mA)/ hFE(Ic=2mA)=0.95(標準)
Po=10W用アンプのドライバおよび一般スイッチング用
  に適しています。
低雑音です。 :NF=1dB(標準)(f=1kHz)
2SC1015とコンプリメンタリになります。
  (O,Y,GR クラス)


最大定格 (Ta=25℃)
項  目
 記 号 
 定 格 
 単位 
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
60
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO
50
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
5
コ レ ク タ 電 流
IC
150
mA
ベ ー ス 電 流
IB
50
mA
コ レ ク タ 損 失
PC
400
mW
接 合 温 度
Tj
125
保 存 温 度
Tstg
-55〜125
電気的特性 (Ta=25℃)
項  目
 記 号 
測定条件
最小
標準
最大
 単位 
コ レ ク タ し ゃ 断 電 流
ICBO
VCB=60V,IE=0
0.1
μA
エ ミ ッ タ し ゃ 断 電 流
IEBO
VEB=5V,IC=0
0.1
μA
直 流 電 流 増 幅 率
hFE(1)(注)
VCE=6V,IC=2mA
70
700
hFE(2)   
VCE=6V,IC=150mA
25
100
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
VCE(Sat)
IC=100mA,IB=10mA
0.1
0.25
ベース・エミッタ間飽和電圧
VBE(Sat)
IC=100mA,IB=10mA
1.1
ト ラ ン ジ シ ョ ン 周 波 数
fT
VCE=10V,IC=1mA
80
MHz
コ レ ク タ 出 力 容 量
Cob
VCB=10V,IE=0,f=1MHz
2.0
3.5
pF
ベ ー ス 拡 が り 抵 抗
rbb’
VCE=10V,IE=-1mA,f=30MHz
50
Ω
雑  音  指  数
NF
VCE=6V,IC=0.1mA,
f=1kHz,RG=10kΩ
1
10
dB
注: hFE(1) 分類   O:70〜140, Y:120〜240, GR:200〜400, BL:350〜700




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