東芝トランジスタ  シリコンPNPエピタキシャル形(PCT 方式)


ストロボフラッシュ用
中電力増幅用

hFEが高く直線が良好です。
  :hFE(1)=140〜600(VCE=-1V, IC=-0.5A)
  :hFE(2)=60(最小)、120(標準)
   (VCE=-1V, IC=-4A)
飽和電圧が低い。:VCE(sat)=-0.5V(最大)
              (IC=-2A,IB=-50mA)


最大定格 (Ta=25℃)
項  目
 記 号 
 定 格 
 単位 
コレクタ ・ベース間
電圧
CBO
-20
コレクタ・エミッタ間
電圧
CEO
-10
エミッタ ・ベース間
電圧
EBO
-6
コレクタ電
DC
C
-2
A
パルス
(注1)
Icp
-4
ベ ー ス 電 流
B
-2
A
コ レ ク タ 損 
PC
900
mW
接 合 温 度
T
150
保 存 温 度
Tstg
-55150

注:パルス幅=10ms(最大)、
  繰り返し周期=30%(最大)
 質量: 0.36(標準)




東芝トランジスタ  シリコンNPN エピタキシャル形(PCT 方式) 


ストロボフラッシュ用
中電力増幅用

hFEが高くリニアリティ良好
       :hFE(1)=140〜600
        (VCE=1V, IC=0.5A)
       :hFE(2)=70(最小),200(標準),
       (VCE=1V, IC=2A)
飽和電圧が低い。
      :VCE(sat)=0.5V(最大)
        (IC=2A,IB=50mA)


最大定格 (Ta=25℃)

項  目
 記 号
 
 定 格
 
 単位 
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
30
コレクタ・エミッタ間電圧
VCES
30
VCEO
10
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
6
コレクタ電
DC
IC
2
A
パルス(注1)
Icp
5
ベ ー ス 電 流
IB
0.5
A
コ レ ク タ 損 失
PC
900
mW
接 合 温 度
Tj
150
保 存 温 度
Tstg
-55〜
150

注: パルス幅=10ms(最大)、
   繰り返し周期=30%(最大)
 質量: 0.36(標準)







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