東芝トランジスタ  シリコンPNPエピタキシャル形(PCT 方式)


低周波増幅用



小型パッケージでマイクロモータなどの小型機器の設計に
  適しています。
耐圧はVCEC=-50V(最小)で電流容量が大きい。
  :IC=-150mA(最大)
電流増幅率が高い。:hFE=70〜400
hFEリニアリティが優れています。
 :hFE(IC=-0.1mA)/hFE(IC=-2mA)
  =0.95(標準)
低雑音です。 :NF=1dB(標準),10dB(最大)
2SC2458とコンプリメンタリになります。


最大定格 (Ta=25℃)
項  目
 記 号 
 定 格 
 単位 
コレクタ・ベース間電
CBO
-50
コレクタ・エミッタ間電
CEO
-50
エミッタ・ベース間電
EBO
-5
コ レ ク タ 電 流
C
-150
mA
ベ ー ス 電 流
B
-50
mA
コ レ ク タ 損 失
PC
200
mW
接 合 温 度
T
125
保 存 温 度
Tstg
-55125
 質量:0.13(標準)
電気的特性 (Ta=25℃)
項  目
 記 号 
測定条件
 単位 
コ レ ク タ し ゃ 断 電 流
ICBO
VCB=-50V,IE=0
-0.1
μA
エ ミ ッ タ し ゃ 断 電 流
IEBO
VEB=-5V,IC=0
-0.1
μA
直 流 電 流 増 幅 率
hFE(注)
VCE=-6V,IC=-2mA
70
400
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
VCE(Sat)
IC=-100mA,IB=-10mA
-0.1
-0.3
ト ラ ン ジ シ ョ ン 周 波 数
fT
VCE=-10V,IC=-1mA
80
MHz
コ レ ク タ 出 力 容 量
Cob
VCB=-10V,IE=0,f=1MHz
4
7
pF
雑  音  指  数
NF
VCE=-6V,IC=-0.1mA
f=1kHz,RG=10kΩ
10
dB

注: hFE分類   O:70〜140, Y:120〜240, GR:200〜400




東芝トランジスタ  シリコンNPNエピタキシャル形(PCT 方式)


低周波増幅用
AM増幅用


小型パッケージでマイクロモータなどの小型機器の設計に
  適しています。
耐圧はVCEC=50V(最小)で電流容量が大きい。
  :IC=150mA(最大)
直流電流増幅率が高い。:hFE=70〜700
hFEリニアリティが優れています。
 :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(標準)
低雑音です。 :NF=1dB(標準),10dB(最大)
2SC1048とコンプリメンタリになります。


最大定格 (Ta=25℃)
項  目
 記 号 
 定 格 
 単位 
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
50
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO
50
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
5
コ レ ク タ 電 流
IC
150
mA
ベ ー ス 電 流
IB
50
mA
コ レ ク タ 損 失
PC
200
mW
接 合 温 度
Tj
125
保 存 温 度
Tstg
-55〜125
電気的特性 (Ta=25℃)
項  目
 
記 号 
測定条件
 単位 
コ レ ク タ し ゃ 断 電 流
ICBO
VCB=50V,IE=0
0.1
μA
エ ミ ッ タ し ゃ 断 電 流
IEBO
VEB=5V,IC=0
0.1
μA
直 流 電 流 増 幅 率
hFE(注)
VCE=6V,IC=2mA
70
700
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
VCE(Sat)
IC=100mA,IB=10mA
0.1
0.25
ト ラ ン ジ シ ョ ン 周 波 数
fT
VCE=10V,IC=1mA
80
MHz
コ レ ク タ 出 力 容 量
Cob
VCB=10V,IE=0,f=1MHz
2.0
3.5
pF
雑  音  指  数
NF
VCE=6V,IC=-0.1mA
f=1kHz,RG=10kΩ
10
dB

注: hFE分類   O:70〜140, Y:120〜240, GR:200〜400, BL:350〜700




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